存储器大厂美光正在美国建造先进高带宽记忆体（HBM）的试产线，并考虑首次赴马来西亚生产HBM，以抓住更多AI需求浪潮。
日经19日引述未具名消息人士报道，美光正在位于爱德荷州波夕（Boise）总部扩充HBM相关研发设施，当中包括生产及验证线。 另外，美光也考虑在马来西亚打造HBM产能，该公司在当地已设有芯片测试及组装厂。
美光已设定目标，准备在2025年底前将HBM市占拉高三倍以上至24~26%，跟该公司传统DRAM的市占相去不远（约23~25%）。
美光已跟SK海力士一同获得英伟达认证，可为AI芯片HBM3E。 三星电子尚未获得英伟达放行，该公司较不先进的HBM3、HBM2E目前主要供应AMD、谷歌及亚马逊。
英伟达CEO黄仁勋6月4日曾于中国台北国际电脑展（Computex）对记者表示，英伟达正在检验三星及美光提供的HBM。 他说，我们只是需要完成工程方面的作业，目前还没有。我原本希望昨天就能结束工作，但事与愿违，我们需要耐心。
被记者问到路透社关于三星HBM面临过热及功耗问题的报道时，黄仁勋仅说，那里面没有故事。
Stifel分析师Brian Chin 6月18日决定将美光目标价从140美元上修至165美元，因为从AI的成长性来看，美光股价依旧合理。 他对HBM及美光HBM3E的前景感到乐观。 Chin相信，美光的HBM3E 12-Hi堆叠记忆体有望在年底前，获得英伟达B200平台认证。
